Allt sem þú þarft að vita um MG75Q1BS11 Toshiba
2025-03-31 222

MG75Q1BS11 er hágæða IGBT eining gerð af Toshiba, hannað til að stjórna mótorum og meðhöndla mikinn kraft.Það virkar hratt, sparar orku og er smíðað til að endast.Þessi grein útskýrir eiginleika þess, hvernig hún virkar, hvar hún er notuð og hvers vegna hún er frábært val fyrir iðnaðarkerfi.

Vörulisti

MG75Q1BS11 Yfirlit

The MG75Q1BS11 er afkastamikil N-rás IGBT (einangruð tvíhverfur smári), hannaður til að krefjast stjórnunar á mótor og rofi með miklum krafti.Það sameinar skilvirkni IGBT tækni og hraðvirkni getu MOSFET Power, sem gerir það tilvalið til notkunar í iðnaðardrifum, inverters og sjálfvirkni.Þessi eining býður upp á framúrskarandi orku meðhöndlun, skilvirka orkubreytingu og bætta áreiðanleika kerfisins.Með skjótum rofahraða og litlu orkutapi hjálpar það að hámarka afköst í orkufrekum umhverfi.MG75Q1BS11 er mikið treyst fyrir endingu þess og skilvirkni í iðnaðarrekstri, þar sem stöðugt og skilvirkt eftirlit er mikilvægt.Kaupendur sem leita að áreiðanlegri lausn fyrir stórfellda iðnaðarkerfi geta notið góðs af sannaðri hönnun og framboði í gegnum alþjóðlega birgja.

Fyrir framleiðendur, viðgerðarþjónustu og dreifingaraðila er nú fullkominn tími til að setja magnpantanir þínar og tryggja áreiðanlegan þátt fyrir rafeindatækniþörf þína.

MG75Q1BS11 samsvarandi hringrás

Þessi samsvarandi hringrás skýringarmynd fyrir Mg75Q1bs11 táknar einangruð hlið tvíhverfa smári (IGBT) eining sem sameinar eiginleika þess Báðir MOSFETS Og geðhvarfasýki.Í þessari hringrás, G (b) táknar hliðið (eða grunn), C. er Safnari, og E er Emitter.Táknið sem notað er sýnir greinilega að tækið starfar sem IGBT, sem er stjórnað í gegnum hliðarstöðina.Þegar spennu er beitt á milli hliðsins og sendandans gerir það núverandi rennsli milli safnara og sendandans.GATE inntakið krefst aðeins lítillar spennu til að kalla fram leiðni, sem gerir IGBT orkunýtni og hentar fyrir háhraða rofa forrit eins og inverters, mótordrif og aflgjafa.Skýringarmyndin hjálpar verkfræðingum að sjá grunnrofaaðgerð MG75Q1BS11 og hvernig það samþættir í víðtækari rafrænu rafeindakerfi.

MG75Q1BS11 aðgerðir

• Hátt inntak viðnám: Auðveldar auðveldar kröfur um akstur, sem gerir kleift að gera skilvirkt tengi við stjórnrásir.

• Háhraða rofi: Tryggir skjótan viðbragðstíma, með hausttíma (TF) upp á 1,0 µs (hámark), sem eykur heildarafköst kerfisins.

• Lítil mettunarspenna: Dregur úr tapi á leiðslu, bætir skilvirkni í umbreytingarforritum.

• Öflug hönnun: Hönnun til að standast háspennu og straumspennu og tryggir áreiðanleika í krefjandi umhverfi.

MG75Q1BS11 forrit

• Iðnaðar mótordrif: Notað í breytilegum tíðni drifum (V_Fds) og servó drif til að stjórna hraðanum og tog rafmótora í iðnaðarvélum.

• HVAC kerfi: Notað í breytilegan hraðaþjöppur og viftur innan upphitunar, loftræstingar og lofts skilyrðingarkerfi fyrir orkunýtna notkun.

MG75Q1BS11 útlínur

Þessi útlínuteikning af MG75Q1BS11 veitir ítarlegar víddar forskriftir fyrir líkamlega umbúðir IGBT einingarinnar.Einingin er með rétthyrnd fótspor með 53 mm breidd. Lengd 33 mm, báðir með vikmörk ± 0,5 mm.Samtals hæð er um það bil 32 mm, að tryggja samsniðinn formstuðul sem hentar fyrir geimbundna forrit.

Festing er auðvelduð í gegnum þrjá M4 skrúfugöt, og viðbótar Jöfnun göt (Ø2,2 mm) eru með til að tryggja örugga uppsetningu.Bili og hæðir eru nákvæmlega skilgreind - gagnrýnin fyrir rétta rafmagnstengingu og hitaleiðni.Tengi skautanna rísa upp í a Hæð 29 mm, með sérstökum vegalengdum sem eru merktar fyrir röðun og samsetningu.

MG75Q1BS11 Hámarkseinkunn

Færibreytur Nafn (tákn)	Gildi og Eining
Safnara-Emitter spennu (vCes)	1200 v
GATE-EMITTER spennu (vGES)	± 20 V.
Stöðugur safnstraumur (iC.)	75 a
Pulsed safnstraumur, 1ms (iCp)	150 a
Safnari afldreifing við TC. = 25 ° C (blsC.)	300 W.
Mótunarhitastig (tJ.)	150 ° C.
Geymsluhitastig (tStg)	-40 til +125 ° C
Einangrunarspenna (veinangrun) (AC, 1 mínúta)	2500 v
Skrúfa tog (flugstöð / festing)	2/3 n · m

MG75Q1BS11 Rafmagnseinkenni

Færibreytur Nafn (tákn)	Gildi og Eining
GATE LEAKAGE CARAL (IGES)	± 500 na
Safnari afskurðarstraumur (iCes)	1.0 Ma
Safnara-Emitter spennu (vCes)	1200 v
Gate-Emitter Cut-Off spennu (VGE (slökkt))	3,0 - 6,0 V
Safnara-Emitter Mettunarspenna (VCE (lau))	2,3 - 2,7 V
Inntaksgeymsla (cies)	10500 PF
Hækkunartími (tr)	0,3 - 0,6 µs
Beygjutími (tÁ)	0,4 - 0,8 µs
Hausttími (tf)	0,6 - 1,0 µs
Slökkvunartími (tOff)	1,2 - 1,6 µs
Hitauppstreymi, mótum við mál (rTh (J-C))	0,41 ° C/W.

MG75Q1BS11 bætur

• Mikil skilvirkni: Þökk sé litlum mettunarspennu og hröðum skiptingu lágmarkar einingin orkutap meðan á notkun stendur, sem leiðir til betri heildar skilvirkni.

• Minni kröfur um drif: Með mikilli inntaksviðnám einfaldar það hönnun hliðardrifsrásanna, sem gerir kleift að auðvelda samþættingu í kerfum.

• Bætt árangur kerfisins: Skjótur viðbragðstími hans eykur nákvæmni og afköst hreyfils stjórnunar og skiptisforrita.

• Samningur og áreiðanlegur: Öflug hönnun tryggir langtíma áreiðanleika jafnvel undir háspennu og núverandi streitu og dregur úr viðhaldsþörf.

• Hagkvæm lausn: Býður upp á gott jafnvægi á afköstum og verði, sem gerir það að hagkvæmu vali fyrir framleiðendur og iðnaðarnotendur.

• Fjölhæf notkun: Hentar vel fyrir fjölbreytt úrval af forritum eins og inverters, rafmagnsbreytum og mótordrifum og eykur aðlögunarhæfni þess.

MG75Q1BS11 Algeng mál og lausn

• Ofhitnun: Koma í veg fyrir hitauppstreymi með því að nota skilvirka hitaskipa, hitauppstreymi og virkt kælikerfi til að stjórna umfram hita.

• Gate Drive bilun: Gakktu úr skugga um stöðuga notkun með því að nota rétt metinn og einangruð hliðarbílstjóra sem uppfyllir stjórnkröfur IGBT.

• Skammhlaup eða yfirstraumsaðstæður: Verndaðu eininguna gegn skyndilegum straumum með hraðvirkum öryggi, mjúkum hringrásum eða núverandi takmörkuðum íhlutum.

• Sníkjudýr sveiflur: Lágmarkaðu rofahljóð og óstöðugleika með því að hámarka PCB skipulag og bæta við snubberrásum eða ferrítperlum.

• Lóðmáls samskeyti eða tengingar: Forðastu vélrænni og hitauppstreymi með því að nota lóða í iðnaði og tryggja eininguna gegn titringi eða streitu.

MG75Q1BS11 Vörur Vörur

Samanburður: MG75Q1BS11 VS MG75Q2YL1

The MG75Q1BS11 Og MG75Q2YL1 eru báðir með miklum krafti IGBT (einangruðum hliðhvarfum smári) einingum sem eru hannaðar til að krefjast iðnaðar, sérstaklega í vélknúnum drifum og raforkukerfi.The MG75Q1BS11 , framleitt af Toshiba, er vel staðfest fyrir áreiðanlega afköst, hröð rofahraði, og skilvirk hitastjórnun- Að gera það vinsælt val í sjálfvirkni og inverter kerfum.Aftur á móti er MG75Q2YL1 einnig flokkaður sem a Power Transistor mát, þó að smáatriði framleiðanda þess séu sjaldnar vitnað í tiltækar heimildir.Báðar einingarnar eru aðgengilegar frá alþjóðlegum birgjum og henta svipuðu umhverfi með miklum krafti.Hins vegar hefur MG75Q1BS11 ávinning af víðtækari skjölum og traustum stuðningi vörumerkisins, sem gæti veitt aukið traust á stuðningi og samþættingu til langs tíma.Til að ná nákvæmum samanburði sem byggður er á rafeinkennum eins og spennueinkunn, núverandi getu og hitauppstreymi ættu notendur að ráðfæra sig við viðkomandi gagnablöð.Þetta mun hjálpa til við að velja rétta eining sem er sérsniðin að sérstökum hönnunarkröfum.

MG75Q1BS11 Framleiðandi

MG75Q1BS11 er gerður afToshiba Corporation, stofnað árið 1875 og með höfuðstöðvar í Tókýó í Japan, er leiðandi á heimsvísu í fjölbreyttum rafeindatækni og rafbúnaði.Fyrirtækið starfar í ýmsum greinum, þar á meðal orkukerfum, félagslegum innviðum, rafeindatækjum og stafrænum lausnum.Toshiba er þekkt fyrir nýsköpun sína og gæði og býður upp á breitt úrval af vörum eins og hálfleiðara, geymslutækjum og iðnaðarkerfi.MG75Q1BS11 er meðal afkastamikils einangruðra tvíhverfa smára (IGBT) eininga Toshiba, sem endurspeglar skuldbindingu fyrirtækisins til að skila áreiðanlegum íhlutum fyrir mikla kraftforrit.

Niðurstaða

MG75Q1BS11 er sterk, áreiðanleg og skilvirk IGBT eining fyrir rafstýringu og vélknúna drifkerfi.Búið til af Toshiba, það er auðvelt í notkun, virkar vel í erfiðu umhverfi og er treyst af mörgum atvinnugreinum.Ef þig vantar áreiðanlegan krafteining er nú góður tími til að panta í lausu.

DataSheet PDF

MG75Q1BS11 DATASETS: