Leiðbeiningar um FP75R12KT3 val, eiginleika, gagnablað
2025-03-29 151

FP75R12KT3 er 1200 V, 75 afleining gerð af Infineon Technologies.Það sameinar afriðara, inverter og bremsuköppu í einni samningur einingar, sem gerir það tilvalið fyrir mótor drif, sólarhrygg og UPS kerfi.Með eiginleikum eins og litlu orkutapi, góðri hitameðferð og auðveldri uppsetningu hjálpar það til við að bæta afköst kerfisins og áreiðanleika.Þessi grein fjallar um helstu eiginleika sína, notar, ávinning og hvernig hún er borin saman við aðrar svipaðar vörur.

Vörulisti

FP75R12KT3 Yfirlit

The FP75R12KT3 er afkastamikil 1200V, 75A IGBT Power Integrated Module (PIM), til húsa í samningur og skilvirkum Econopim ™ 3 pakkanum.Það samþættir þriggja fasa inntaksafritara, inverter stig og bremsuköppu, sem gerir það tilvalið fyrir mótor drif, UPS kerfi og sólarhringir.Hann er hannaður með lítilli villandi hvata og háþróaðri Trenchstop ™ IGBT3 tækni og skilar mikilli skilvirkni, litlu tapi og framúrskarandi hitauppstreymi með koparplötu.Einingin styður safnari -emitter mettunarspennu aðeins 1,70 V (dæmigerð), starfar áreiðanlega innan -40 ° C til 125 ° C og felur í sér NTC hitamistor fyrir hitastigseftirlit um borð.Með ROHS samræmi, lóðanlegum prjónum til að auðvelda uppsetningu og samningur hönnun, tryggir það öfluga og áreiðanlega afköst í krefjandi iðnaðarforritum.

Fyrir fyrirtæki sem hafa áhuga á að uppfæra kerfi sín eða stórfellda Verkefni, við hvetjum þig til að setja magnpantanir þínar fyrir FP75R12KT3 í dag til að tryggja áreiðanlega og skilvirka lausn fyrir Krafstýringarþörf þín.Náðu til núna til að tryggja framboð og samkeppnishæf verðlagningu.

FP75R12KT3 aðgerðir

•Samþætt þriggja fasa afriðara: Auðveldar samsniðna og skilvirka hönnun með því að sameina nauðsynlega orkubreytingarhluta.

•Hröð skurður IGBT3 tækni: Tryggir að lítið skiptitap og mikil skilvirkni í notkun.

•Hágæða díóða: Bætir árangur með minni afldreifingu.

• Lítil villur hvatir: Lágmarkar inductive tap, bætir heildar skilvirkni einingarinnar.

• Kopargrindarplata: Veitir framúrskarandi hitaleiðni fyrir árangursríka hitaleiðni.

•Lóðanlegar pinnar: Gerir kleift að öruggar og áreiðanlegar rafmagnstengingar meðan á samsetningu stendur.

•Innbyggður NTC hitameistari: Virkir nákvæma hitastigseftirlit fyrir aukna vörn kerfisins.

• ROHS samræmi: Uppfyllir umhverfisstaðla með því að takmarka hættuleg efni.

FP75R12KT3 hringrás skýringarmynd

Þessi hringrás skýringarmynd fyrir FP75R12KT3 IGBT eininguna sýnir staðal Stillingar a 3-fasa inverter kerfi, sem felur einnig í sér a Afritari og bremsuhakari hringrás, allt samþætt í einni samningur mát.

Á The Hægri hlið, inverter stigið er myndað af sex IGBTs parað við Freewheeling díóða, stillt sem 3 fasa brú.Hver áfanga framleiðsla - u, v, og w-hefur hálfbrú úr tveimur Igbts.Fasi U notar IGBT tengt við skautanna 27 (Há hlið hlið), 26 (safnari), og 13/14 (Emitter) fyrir Efri rofi, meðan skautanna 7/8 (hlið), 24 (safnari), og 20 (emitter) eru fyrir neðri rofann.Fasa V fylgir með tengingum í gegnum skautanna 25, 9/10, 24, 19 og 18.Fasa W lýkur brúinni með skautunum 23, 11/12, 22, og deildu sendingum á flugstöð 18.

FP75R12KT3 forrit

• Mótordrif: Notað til að stjórna og keyra rafmótora yfir ýmsar iðnaðarvélar, auka afköst og orkunýtingu.

• Endurnýjanleg orkukerfi: Starfandi í sólarhringjum og öðrum forritum um endurnýjanlega orku til að umbreyta og stjórna krafti frá endurnýjanlegum aðilum.

• Iðnaðar sjálfvirkni: Samþætt í sjálfvirk kerfi til að veita nákvæma stjórn á rafeindatækni og stuðla að bættri áreiðanleika og framleiðni.

• Órofin aflgjafa (UPS): Notað í UPS kerfum til að tryggja stöðuga orkuafgreiðslu og vernda gegn truflunum.

FP75R12KT3 Hámarks metið gildi

Færibreytuheiti og tákn	Gildi og eining
Safnara-Emitter spennu (vCes)	1200 v
Stöðugur DC safnstraumur við TC = 80 ° C (iCnom)	75 a
Stöðugur DC safnstraumur við TC = 25 ° C (iC.)	105 a
Endurteknar hámarks safnara straumur (iCrm)	150 a
Heildaraflsdreifing við TC = 25 ° C (PTOT)	355 W.
GATE-EMITTER Hámarksspenna (VGES)	+/- 20 V.

Færibreytuheiti og tákn	Gildi og eining
Safnara-Emitter spennu (vCes)	1200 v
Stöðugur DC safnstraumur (iCnom)	75 a
Stöðugur DC safnstraumur (iC.	100a
Endurteknar hámarks safnara straumur (iCrm)	150 a
Heildaraflsdreifing (blsTOT)	355 W.
GATE-EMITTER Hámarksspenna (VGES)	+/- 20 V.

Díóða, afriðari

Færibreytuheiti og tákn	Gildi og eining
Endurtekin toppspenna (VRRM)	1600 v
Hámarks RMS framvirkt á hvern flís (iFrmsm)	80 a
Hámarks RMS straumur við afköst (IRmsm)	115 a
Bylgja áfram straumur við tVJ = 25◦C (iFSM)	500 a
Bylgja áfram straumur við tVJ = 150◦C (iFSM)	400 a
I²T-gildi við tVJ = 25◦C (I²T)	1250 A²
I²T-gildi við tVJ = 150◦C (I²T)	800 a²

Færibreytuheiti og tákn	Gildi og eining
Safnara-Emitter spennu (vCes)	1200 v
Stöðugur DC safnstraumur (iCnom)	40 a
Stöðugur DC safnstraumur (iC.)	55 a
Endurteknar hámarks safnara straumur (iCrm)	80 a
Heildaraflsdreifing (blsTOT)	210 W.
GATE-EMITTER Hámarksspenna (VGES)	+/- 20 V.

Færibreytuheiti og tákn	Gildi og eining
Endurtekin toppspenna (VRRM)	1200 v
Stöðugur framsóknarstraumur (iF)	25 a
Endurteknar hámarki áfram (iFrm)	50 a
I²t-gildi (i²t)	170 A²

FP75R12KT3 Kostir og gallar

Kostir

• Innbyggð hönnun: Sameinar þriggja fasa inntaksafritara, inverter stig og bremsuhakkara, einfalda kerfisarkitektúr og draga úr fjölda íhluta.

• Lítil villur: Lágmarkar inductive tap, eykur heildar skilvirkni og afköst.

• Mikil áreiðanleiki og aflþéttleiki: Skilar öflugri frammistöðu í samningur forritum, sem gerir það hentugt fyrir geimbundið umhverfi.

• Kopargrindarplata: Tryggir hámarks hitaleiðni og stuðlar að skilvirkri hitastjórnun.

• Lóðanlegar pinnar: Auðveldar öruggar og áreiðanlegar raftengingar meðan á samsetningu stendur.

• Lágt skiptitap: Auka skilvirkni við hátíðni rekstur og draga úr orkunotkun.

• ROHS samræmi: Uppfyllir umhverfisstaðla með því að takmarka hættuleg efni, í takt við alþjóðlegar reglugerðarkröfur.

Ókostir

• Hærri spennu í ríki: Í samanburði við nokkur önnur hálfleiðara tæki geta IGBTs eins og FP75R12KT3 sýnt hærra spennu í ríki, sem getur haft áhrif á skilvirkni í ákveðnum forritum.

• Skipta um hraðatakmarkanir: Meðan hann býður upp á lítið rofatap hafa IGBTs venjulega hægari rofahraða samanborið við MOSFETS, sem getur haft áhrif á afköst í mjög hátíðni forritum.

• Óeðlilegt straumstraumur : IGBTs framkvæma straum í eina átt og þarfnast viðbótarrásar fyrir forrit sem krefjast tvískipta straumstraums.

FP75R12KT3 aðrar vörur

FP75R12KT3 pakkaútlit

Rafmagns skautanna eru greinilega dreifð og merkt yfir efstu brúnina, með pinna vellinum af um það bil 5 mm til 6 mm, styðja auðvelda samþættingu í Prentaðar hringrásarborð eða busbar tengingar.Rafmagnsstöðvarnar fyrir DC Hlekkur, AC framleiðsla og hliðstengingar eru raðað til að einfalda raflögn og Draga úr sníkjudýrsleiðni.

FP75R12KT3 Framleiðandi

FP75R12KT3 er framleitt af Infineon Technologies, leiðandi alþjóðlegt hálfleiðara fyrirtæki sem sérhæfir sig í raforkukerfum og IoT lausnum.Infineon býður upp á alhliða eignasafn af hálfleiðaraafurðum, þar á meðal örstýringar, skynjara og hálfleiðara, þjóna atvinnugreinum eins og bifreiðum, iðnaðar- og neytenda rafeindatækni.FP75R12KT3 dæmi um skuldbindingu Infineons til að skila hágæða, skilvirkum og áreiðanlegum íhlutum fyrir iðnaðarforrit.

FP75R12KT3 Algeng mál og lausnir

• Ofhitnun

Notaðu rétta hitaskipa, loftstreymi og hitauppstreymi og fylgstu með hitastigi með innbyggðum NTC hitamistor til að koma í veg fyrir ofhitnun.

• Gate Drive bilun

Gakktu úr skugga um að gátt-innspenna haldi innan ± 20V og notaðu samhæfða hliðarbílstjóra með viðeigandi viðnám til að koma í veg fyrir bilun í gátt.

• Skammtímaskemmdir

Verndaðu eininguna með hraðvirkum straumskynjara og greiningarrásum á skilun til að draga úr yfirstraumi og skammhlaupsáhættu.

• Tengingar bilun

Forðastu málefni PIN tengingar með því að nota örugga PCB festingu og hágæða lóðatækni til að standast hitauppstreymi og vélrænt streitu.

• Óhóflegt skiptitap

Draga úr tapi á skiptingu með því að starfa innan ráðlagðs tíðnisviðs og hámarka snubberrásir til að takmarka yfirskoti og EMI.

Samanburður: FP75R12KT3 á móti FP75R12KT4BOSA1

The FP75R12KT3 Og FP75R12KT4BOSA1 eru bæði 1200 V, 75 a Power Integrated Modules (PIM) frá Infineon Technologies, sem ætlað er að þjóna krefjandi iðnaðarforritum eins og vélknúnum drifum, UPS kerfum og sólarhryggjum.Þeir deila ýmsum eiginleikum þar á meðal Lítil villur, mikil áreiðanleiki, kopar grunnplötur fyrir skilvirk hitauppstreymi, lóðanlegar pinnar, lágt skiptitap og ROHS samræmi.Kjarnamunurinn á þessum tveimur liggur í IGBT tækninni sem þeir nota.FP75R12KT3 er smíðaður með Infineon's Trenchstop ™ IGBT3 tækni, sem skilar litlu tapi og öflugri afköstum.Aftur á móti notar FP75R12KT4BOSA1 nýrri Trenchstop ™ IGBT4 tækni og býður upp á aukna afköst og heildar skilvirkni.Fyrir vikið, þó að báðir einingarnar séu vel hentugar fyrir svipað umhverfi, þá veitir FP75R12KT4BOSA1 bætt rafmagnseinkenni og er betur fínstillt fyrir forrit sem krefjast hærri rofahraða og lægra leiðslutaps.

Niðurstaða

FP75R12KT3 er sterk, áreiðanleg krafteining sem er frábær fyrir marga iðnaðarnotkun.Það er auðvelt í notkun, virkar á skilvirkan hátt og sparar pláss.Þó að það séu nokkur takmörk eins og hægari skiptist, þá gengur það samt mjög vel.Ef þú ert að leita að traustri lausn fyrir raforkukerfin þín, sterka bylgjuvörn, góð hitauppstreymi og traust vörumerki á bak við það, MFP75R12KT3 er frábært val fyrir þá sem þurfa a afkastamikil eining-sérstaklega til magnnotkunar til langs tíma verkefni.

DataSheet PDF

FP75R12KT3 DATASHETS: