Infineon sleppir 2025 Gan Power hálfleiðara horfur

Nýjasta skýrsla Infineons varpar ljósi á að Gallium Nitride (GAN) sé að ná mikilvægum ættleiðingarstað í mörgum atvinnugreinum og knýja fram endurbætur á orkunýtni.Með kostum eins og mikilli afköstum, þéttri stærð, léttri hönnun og lækkun kostnaðar er GAN þegar mikið notað í USB-C hleðslutæki og annarri neytandi rafeindatækni.Búist er við að notkun þess muni stækka frekar í rafknúin ökutæki (EVs), AI gagnaver, heimilistæki og vélfærafræði.

Gan skiptir sköpum fyrir að auka orkuþéttleika í AI gagnaverum og mæta vaxandi eftirspurn eftir tölvuorku.Þegar aflþörf þróast frá 3,3 kW til 12 kW, hámarkar há aflþéttleiki Gan hámarks nýtingu rekki.Að auki, að samþætta gan við kísill (SI) og kísil karbíð (SIC) gerir kleift að ná besta jafnvægi milli skilvirkni, aflþéttleika og kerfiskostnaðar.

Í heimatæknigeiranum bætir GAN orkunýtni og eykur skilvirkni um 2% í 800 W forritum og hjálpar framleiðendum að ná fram orkunýtni A-bekk.Í EVs bjóða GAN-undirstaða um borð hleðslutæki og DC-DC breytir með meiri hleðslu skilvirkni og aflþéttleika, þar sem kerfin fara fram yfir 20 kW.Að auki er búist við að Gan ásamt SIC muni auka 400V og 800V grip hvolfa, sem lengir EV aksturssvið.

Robotics iðnaður mun einnig njóta góðs af samsniðinni stærð Gan og afkastamikil, knýja framfarir í afhendingardrónum, aðstoðarvélmenni og humanoid vélmenni.Infineon eykur fjárfestingu sína í R & D GAN og nýtir 300mm Gan Wafer framleiðslu og tvíátta rofa (BDS) smára tækni til að viðhalda forystu sinni í stafrænni og kolefnislækkun.